HMC424ALP3E是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數字衰減器，采用低成本、無引腳表貼封裝，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。HMC

HMC424ALP3E是一款寬帶、6位、砷化鎵(GaAs)、數字衰減器，采用低成本、無引腳表貼封裝，以0.5 dB步長提供31.5 dB的衰減控制范圍。

HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定頻率范圍內具有出色的衰減精度（±0.2 dB + 4%的衰減狀態）和高輸入線性度，典型插入損耗小于4 dB。衰減器位值為0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，總衰減為31.5 dB，典型步長誤差為±0.5 dB。

該器件允許用戶通過在0 V至VEE之間切換的六個并行控制輸入對衰減狀態進行編程設定。

HMC424ALP3E采用?3 V至?5 V單個負電源供電，需要外部電平轉換器以便連接CMOS/晶體管對晶體管邏輯(TTL)接口。

HMC424ALP3E采用符合RoHS標準的緊湊型、3 mm × 3 mm、16引腳引腳架構芯片級封裝(LFCSP)。

衰減范圍：0.5 dB (LSB)步進至31.5 dB

步長誤差：±0.5 dB（典型值）

低插入損耗：2.8 dB（4 GHz時）

VEE = ?3 V 時具有高線性度

輸入P0.1dB：22 dBm（典型值）

輸入IP3：45 dBm（典型值）

高RF輸入功率處理：25 dBm（最大值）

低相對相位：30°（典型值，6.0 GHz）

單電源供電：?3 V至?5 V

16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝

應用

蜂窩基礎設施

微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT)

測試設備和傳感器

中頻(IF)和RF設計

軍事與太空

ADH941StHMC941ALP4EtHMC472ALP4E

ADRF5740BCCZNtHMC470ALP3EtHMC542BLP4E

ADRF5720BCCZNtHMC629ALP4EtHMC624ALP4E

ADRF5721BCCZNtHMC8073LP3DEtHMC759LP3E

ADRF5730BCCZNtHMC1122LP4MEtHMC424A

ADRF5731BCCZNtHMC273AMS10GEtHMC424AG16

HMC425ALP3EtHMC539ALP3EtHMC424ALH5

HMC1018ALP4EtHMC802ALP3EtHMC424ALP3E

HMC1019ALP4EtHMC305SLP4EtHMC1095LP4E

HMC291SEtHMC540SLP3EtHMC792ALP4E

HMC1119LP4MEtHMC306AMS10EtHMC468ALP3E

HMC939AtHMC941AtHMC939ALP4E